我們都知道進(jìn)口紫外芯片在日常生活中應(yīng)用的十分廣泛，那么你知道其光衰率怎么樣呢？下面一起來看下吧。

進(jìn)口紫外芯片光衰率整體表現(xiàn)如何？

光衰率低

進(jìn)口紫外芯片一般采用更穩(wěn)定的外延和光提取設(shè)計(jì)，因此光衰表現(xiàn)較好：1000小時(shí)點(diǎn)亮后光衰一般在 10%～25%、優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品甚至可以做到<10%、國產(chǎn)普通芯片可能會出現(xiàn)20%～40%或更高

為什么進(jìn)口紫外芯片光衰低？

主要差異來源于核心工藝：

外延質(zhì)量更高

進(jìn)口廠商外延片缺陷密度低，晶體完整性更好 → 耐熱、耐光沖擊能力強(qiáng)。

更先進(jìn)的光提取結(jié)構(gòu)

比如側(cè)發(fā)光結(jié)構(gòu)、反射鏡優(yōu)化、出光窗口設(shè)計(jì) → 能降低熱集中，從而減少衰減。

抗紫外老化材料更好

窗口片、封裝膠材質(zhì)不同，也會導(dǎo)致 UV 老化快慢差異巨大。

進(jìn)口紫外芯片光衰整體比國產(chǎn)低一個臺階，同條件下壽命更長、衰減更慢。

但最終光衰還和封裝和散熱設(shè)計(jì)密切相關(guān)——芯片好，封裝不好照樣衰得快。